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凯发k8旗舰厅代理晶振sitime低功耗振荡器
低功耗振荡器
sitime低功耗振荡器采用全半导体工艺制程，标准黑色qfn封装，无需改动pcb板，管脚完全兼容。从设计和工艺的角度完全杜绝了传统石英晶振生产工艺中引起的电路不起振、停振、气密性问题、一致性差等一系列品质问题；抗震可达50000g，彻底消除了设计人员对小封装晶振的成本和供货的顾虑。 sitime低功耗晶振的出现将会大大降低采购的风险，降低返修率，减少产品的维护的成本。
sit8008
特性和优势
1、为实现最佳系统性能的自定义规格
2、可配置的特性集：
3、小型 2016 和 2520 封装，适用于所有的频率、电压和稳定性
4、降低了功耗，实现更绿色的系统
5、延长便携式应用的电池寿命
6、softedgetm 可配置驱动强度
7、减轻短路风险
8、低功耗：
9、减少库存开销
10、通过驱动多个负载并消除了多余的定时元件来节省成本
频率范围：1-110mhz
频差：±20、±25、±50ppm
老化：±1.5ppm/年
温度范围：-20~ 70℃ -40~ 85℃
负载电容：1.8、2.5、2.8、3.0、3.3v
体积：7050、5032、3225、2520、2016
sit8009
特点和优势
1、功耗超低的高频振荡器：
2、小型 2016 和 2520 封装，适用于所有的频率、电压和稳定性
3、可配置特性集：
4、softedgetm 可配置驱动强度
5、节省更多板空间，不会降低性能和可用性
6、通过较慢上升/下降时间最大限度减少振荡器的 emi
7、通过驱动多个负载并消除了多余的定时元件来节省成本
8、减少库存开销
9、减轻短路风险
频率范围：115mhz ~ 137mhz
频差：±20ppm，±25ppm，±50ppm
老化：
温度范围：-20℃~ 70℃ -40℃~ 85℃
负载电容：1.8v，2.5 v ~ 3.3 v
体积：2.0*1.6mm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm
sit8004
1、频率：125~150 mhz
2、频率稳定度：（ppm）±20，±25，±50
3、工作温度范围（°c）：-20~ 70，-40~ 85
4、振荡器类型：xo-se
5、输出类型：lvcmos
6、包装类型：2.5x2.0，3.2x2.5，5.0x3.2，7.0x5.0
7、电压电源（v）：2.5，2.8，3.3
8、不建议用于新设计
更换型号：sit8008，sit8009，sit8209
频率范围：125mhz~150mhz
频差：±20ppm ±25ppm ±50ppm
老化：
温度范围：-20℃~ 70℃ -40℃~ 85℃
负载电容：2.5v~3.3v
体积：2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm
sit8021
sit8021振荡器是这个系列的第一个器件，通过设定功率、尺寸和重量的新基准，突破了石英技术的局限性。sit8021比石英器件的功耗降低了90%，尺寸小了40%，重量减少了70%。这些同类最佳的规格可实现智能手表、智能手环、平板电脑、智能手机、便携式音频和附件最长的电池寿命和最小的尺寸和重量。
频率范围：1mhz~26mhz
频差：±100ppm
老化：
温度范围：-20℃~ 70℃ -40℃~ 85℃
负载电容：1.8v~3.63v
体积：1.5*0.8mm (1508)
sit1602
sit1602是一个低功率的固定频率振荡器。它提供了低功耗，出色的稳定性，体积小，快速启动和短交货期的各种应用的完美结合。。sit1602 系列具有可编程驱动强度，且该特性针对特定应用优化了上升/下降时间。 可编程驱动强度带来的优势包括：提升了 emi 性能、降低了抖动并能驱动大型容性负载。
频率范围：3.57mhz~77.76mhz
频差：±20ppm ±25ppm ±50ppm
老化：
温度范围：-20℃~ 70℃ -40℃~ 85℃
负载电容：1.8v~3.3v
体积：2.0*1.6mm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm
sit8003xt
1-110mhz频率范围
lvcmos / lvttl兼容输出
待机电流低至0.5µa
快速恢复3.0 ms的简历时间
全硅器件，超短的交货时间
已停产，原厂推荐sit8008替代
频率范围：1mhz~110mhz
频差：±50ppm ±100ppm
老化：
温度范围：-20℃~ 70℃ -40℃~ 85℃
负载电容：1.8v~3.3v
体积：3.5*3.0mm（3530）
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